TSV，全称为Through Silicon Via，即硅通孔技术，是一种在芯片与芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通的技术，通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充，实现硅通孔的垂直电气互联。这项技术是3D先进封装的关键技术之一，通过垂直互连减小互连长度、信号延迟，降低电容、电感，实现芯片间低功耗、高速通讯，增加带宽和实现小型化。TSV技术的应用不仅限于逻辑芯片和存储芯片，还包括电源管理芯片等产品中，这些应用共同体现了TSV技术在提升电子设备性能和可靠性方面的重要作用。
TSV，全称为Through Silicon Via，即硅通孔技术，是一种在芯片与芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通的技术，通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充，实现硅通孔的垂直电气互联。这项技术是3D先进封装的关键技术之一，通过垂直互连减小互连长度、信号延迟，降低电容、电感，实现芯片间低功耗、高速通讯，增加带宽和实现小型化。TSV技术的应用不仅限于逻辑芯片和存储芯片，还包括电源管理芯片等产品中，这些应用共同体现了TSV技术在提升电子设备性能和可靠性方面的重要作用。
TSV刻蚀是硅通孔技术中的一个重要环节，硅通孔的形成通常是由刻蚀工艺来完成，孔质量的好坏直接决定了封装的效果，因此，刻蚀工艺是TSV技术中的一个关键部分。
01产品特点
● 高深宽比刻蚀能力
● 精确控制
● 材料兼容性
● 高效率与低成本
● 环保与可持续性
02主要参数
晶圆尺寸：8英寸向下兼适用工艺：通孔刻蚀
适用材料：Si
03应用领域
应用领域：先进封装技术，光电器件，传感器等
上海微芸科技TSV等离子刻蚀工艺案例
