在半导体干法刻蚀中，主要有两种设备:电容耦合等离子体(Capacitively Coupled Plasma、CCP)刻蚀、电感耦合等离子体(Inductively CoupledPlasma，lCP)刻蚀。这两种设备是半导体制造过程中不可或缺的部分，它们各自具有独特的工作原理和应用领域。
上海微芸半导体科技有限公司生产的电容耦合等离子体干法刻蚀机（CCP）和电感耦合等离子体干法刻蚀机（ICP）是针对先进工艺节点与生产线各种关键应用的大规模量产型设备，其卓越性能亦可在各大高校及科研机构展示其科研属性。
CCP设备8英寸向下兼容，广泛满足各类刻蚀需求，凭借卓越的刻蚀均匀性和高速刻蚀能力，确保了工艺结果的高效与精准。此外，在刻蚀形貌与工艺性能上表现非凡，高选择比结合高速刻蚀特性，有效提升了生产效率。系统灵活性强，能够根据客户需求，灵活选择并配置气体种类，满足个性化生产与研究需求。
ICP设备8英寸向下兼容，适用于各种刻蚀需求，具备优异的刻蚀均匀性和快速刻蚀速率，确保了高效、精确的刻蚀工艺结果。同时，高选择比和高各向异性使刻蚀过程更为精准，减少损伤。专业的机械设计与优化的操作软件使该设备操作简便、安全，且工艺稳定、重复性、均匀性极佳。此外，高断面轮廓可控性保证了刻蚀表面的平整光滑。该系统可以根据客户要求选择气体种类进行配置。
电容耦合等离子体（CCP）刻蚀
电容耦合等离子体（CCP）刻蚀主要依赖于电容耦合原理来产生等离子体，这种等离子体源适用于各种半导体材料的刻蚀，包括但不限于硅、金属等。CCP刻蚀设备通常由多个真空等离子体反应腔和主机传递系统构成，是一种大型真空的全自动加工设备。它的应用范围广泛，包括但不限于薄膜生长、光刻、清洗、离子注入等半导体制造工艺。
电感耦合等离子体（ICP）刻蚀
电感耦合等离子体（ICP）刻蚀则采用电感耦合原理来产生高密度的等离子体，适用于更精细的线路和结构的刻蚀。ICP刻蚀设备能够提供更高的各向异性刻蚀，这对于提高集成电路的性能至关重要。
主要用在fab哪些工艺中？
CCP：
主要用于介质刻蚀，适用于刻蚀键能比较大的物质及需要高深宽比的深孔结构。其应用的工艺环节有：
Oxide（氧化物）刻蚀：在半导体制造中，氧化物层（如SiO₂）的刻蚀是常见的步骤，CCP由于其特定的物理和化学机制，非常适合用于氧化物的精确刻蚀。
Nitride（氮化物）刻蚀：氮化物层（如Si₃N₄）也常作为半导体器件的组成部分，CCP同样适用于氮化物的刻蚀工艺。
Contact（接触孔）刻蚀：在多层金属布线结构中，需要形成接触孔以连接不同层的金属线。CCP技术因其高精度和低损伤特性，常被用于接触孔的刻蚀。
ICP：
适用于较广泛的应用，包括金属、多晶硅以及部分介质的刻蚀。具有刻蚀速率快、选择比高、各向异性好等优点。其应用的工艺环节有：
Si（硅）刻蚀：在半导体制造过程中，硅基片的刻蚀是基本且重要的步骤。ICP技术能够有效地刻蚀硅材料，形成所需的图形结构。
Poly（多晶硅）刻蚀：多晶硅常用于半导体器件的栅极等结构，ICP技术能够精确地刻蚀多晶硅，满足器件制造的高精度要求。
Metal（金属）刻蚀：在金属布线层的制作过程中，需要刻蚀金属以形成特定的电路图案。ICP技术因其高效的刻蚀能力和良好的选择比，非常适合用于金属层的刻蚀。
有哪些特点？
CCP：
1）低功率低密度等离子体：CCP技术利用静电场和交流电场的作用产生等离子体，通过电容耦合将交流电场传递到气体中，从而激发等离子体进行刻蚀。这种方法产生的等离子体密度相对较低，适用于介质材料的刻蚀。
2）高精度：CCP刻蚀系统能够产生稳定的等离子体，并且等离子体的能量分布均匀，有利于实现高精度的刻蚀过程。在刻蚀过程中，离子的轰击方向性较好，主要是垂直于待刻蚀表面的方向移动，这有助于减少侧向刻蚀，提高刻蚀的深宽比。
3）均匀性好：由于电容耦合的特点，CCP刻蚀能够在较低的气压下产生稳定的等离子体，从而实现均匀的刻蚀效果。这对于大面积、复杂图形的器件加工尤为重要。
4）广泛应用：CCP刻蚀技术广泛用于芯片制造、微电机系统（MEMS）、光电子器件以及纳米材料研究等领域。它能够以极高的精度和对材料的最小损伤来刻蚀晶圆材料，是微纳加工中的重要工艺之一。
ICP：
1）高功率高密度等离子体：ICP技术通过随时间变化的磁场电磁感应产生电流作为能量来源，激发气体放电产生高密度等离子体。这种等离子体具有更高的能量和密度，能够快速刻蚀导电材料。
2）刻蚀速率快：ICP刻蚀过程中，高密度的等离子体在RF射频作用下对wafer表面发生物理和化学反应，使得刻蚀速率较快。这对于提高生产效率、缩短加工周期具有重要意义。
3）选择比高、损伤小：ICP刻蚀技术具有较高的选择比和较低的损伤特性。它能够在精确去除目标材料的同时，尽量减少对周围材料的损伤，保护器件的原有性能。
4）应用灵活：ICP刻蚀技术适用于多种材料的刻蚀，包括Si、poly、metal等STI、gate和导线等etch环节。它可以根据不同的工艺需求选择合适的刻蚀气体和反应条件，实现灵活的加工过程。
