2024年10月23-25日，由中国微米纳米技术学会、中国国际科学技术合作协会、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）主办，苏州纳米科技发展有限公司承办的第十四届中国国际纳米技术产业博览会（简称“纳博会®”）将于苏州隆重举办。
（10月23日）上午
第十四届中国国际纳米技术产业博览会
（简称“纳博会®”）
在苏州国际博览中心正式启幕
2024年10月23-25日，由中国微米纳米技术学会、中国国际科学技术合作协会、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）主办，苏州纳米科技发展有限公司承办的第十四届中国国际纳米技术产业博览会（简称“纳博会®”）将于苏州隆重举办。
联合实验室：ALE刻蚀工艺验证开发联合实验室
合作单位：上海微芸半导体科技有限公司
1.定位：
该联合实验室专注于原子层刻蚀（Atomic Layer Etching, ALE）技术的研究与发展。实验室致力于推动ALE技术在半导体领域的应用，特别是在高电子迁移率晶体管（GaN HEMTs）制造中的精密刻蚀工艺。实验室旨在促进ALE技术的研发与工艺验证，提升ALE刻蚀机的功能，并推动技术的实际应用。此外，实验室还肩负着培养专业人才的任务，促进学术界与工业界的交流合作，努力成为国际领先的ALE技术研究中心，并参与行业标准的制定。
2.目前进展：
实验室正集中力量开发和验证适用于AlGaN/GaN界面的ALE刻蚀工艺。现有数据显示，ALE刻蚀系统运行稳定，软件功能完备，初步的工艺开发成果显著。当前的重点是进一步优化工艺，以实现更精细的控制。
实验室展示了ALE技术在AlGaN/ GaN界面刻蚀方面的卓越性能，包括精确控制刻蚀深度、降低表面粗糙度以及减少对材料表面的损伤。具体而言，实验室已成功实现了AlGaN层的ALE刻蚀，刻蚀速率达到0.8 nm/cycle，刻蚀后的表面粗糙度低至0.9 nm Ra。下一阶段的目标是将刻蚀速率降至约0.4 nm/cycle，并进一步优化表面粗糙度至0.6 nm Ra以下。
这种精确的刻蚀能力对于制造高性能半导体器件至关重要，尤其是在对表面质量有极高要求的应用领域。随着研究的深入和技术的进步，ALE技术有望在未来的半导体制造业中发挥更加重要的作用。
